脉冲激光沉积相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
钙钛矿过渡金属氧化物材料因具有高缺陷迁移速度、低缺陷迁移势垒的特点,在高性能存储器件领域极具研究空间。钙钛矿结构的Sr Co O......
近年来,透明导电薄膜被广泛应用于光电信息领域,例如在太阳能电池、平板显示器、有机发光二极管等器件上的应用,市场对高性能透明......
光纤传感技术将光波作为载体,光纤作为媒质,是一种感知和传输外界被测信号的新型传感技术。由于光纤传感器集信息传感与传输于一体......
我国航天发动机的效率以及推力一直在不断提高。为了保证发动机的正常运行,能够稳定又准确的监测涡轮叶片在工作时产生的应变是非......
随着自旋电子学领域的发展,人们发现具有垂直磁各向异性（perpendicular magnetic anisotropy,PMA）的绝缘磁性石榴石薄膜有着非常多的......
锆钛酸铅及铌镁酸铅-钛酸铅等铅系铁电材料,因其具有优异的铁电、压电、热释电性能被广泛应用到微机电系统、传感器、驱动器等功能......
在过去的几十年中,基于互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管的数字计算机的计算能力得到了极大的提高。但随着摩尔定律即将走到尽头,基......
过渡金属氧化物的理论比容量是商用石墨负极的2～3倍,并具有良好的安全性,因此被认为是极具应用潜力的负极材料之一。在过渡金属氧化......
多铁性材料可以同时实现力-电荷-自旋的多重耦合因而允许通过外场来控制其铁电性和铁磁性,相比于传统的铁电存储和磁记录材料,多铁......
随着集成电路芯片封装向小型化、集成化方向的不断发展,无铅锡基钎料性能已不能满足目前集成电路封装的需求.本文提出了一种脉冲激......
二维过渡金属硫属化合物（2D TMDCs）是当前光电材料的研究热点之一,其优异的光电转化特性使其在新型探测器的研究取得长足的进步。当......
金属-绝缘体相变现象一直是凝聚态物理中倍受关注的热点和研究重点。在众多金属-绝缘体相变材料中,钙钛矿型稀土过渡金属氧化物RNi......
脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition,PLD）技术因其工艺参数可自由调节、易获得期望化学计量比材料等特点,广泛应用于复杂氧化物异......
过渡金属氧化物（Transition Metal Oxide,TMO）由于具有丰富的相结构和新颖的物理特性受到研究人员的广泛关注。然而生长在单晶衬底上......
钙钛矿化合物是一种非常重要的功能材料,因结构性质丰富而被广泛研究,近年来凭借铁电光伏效应和多铁特性,在光伏发电和信息存储等......
磁电复合薄膜因同时具备铁电及铁磁性,可以通过磁场作用调控电学性质以及电场对磁性能的调控。近些年来,铁电、铁磁及其磁电复合薄......
钙钛矿材料由于具有高的吸收系数和载流子迁移率、较长的载流子扩散距离、较低的缺陷态密度、可调的发光波长等特点,成为近年来半......
本文使用脉冲激光沉积的方法首次成功地制备了锰掺杂锌砷基II-II-V族稀磁半导体（Ba,K）（Zn,Mn）2As2薄膜。薄膜的制备方法与物理性质的研......
Ga2O3薄膜晶体由于高温生长引进了大量缺陷导致其紫外探测器件的响应度不高,而一维纳米材料具有的比表面积大、散射作用强以及纳米......
以电化学储能的锂离子二次电池因其具有高能量密度、小质量、长循环寿命、低自放电率及无记忆效应等优点,被广泛应用于便携式电子......
采用脉冲激光沉积法制备了La0.5Ca0.5MnO3(LCMO)薄膜,然后在不同强磁场作用下进行原位后退火处理.利用XRD、FESEM和SQUID对薄膜进......
本文采用脉冲激光沉积和真空退火的方法在铝箔上制备氧化铟锡（indium tin oxide， ITO）表面增强拉曼散射（surface-enhanced Raman scatt......
从激光烧灼原理出发，本篇文章讨论了用脉冲激光沉积法镀制两种材料的双层薄膜特征，同时用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌做了分析，测......
利用电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积的方法制备了氮化碳薄膜.成分分析显示,制备的薄膜主要由C和N两种元素组成,其中N的......
脉冲激光沉积(PLD)是一种公认的用于制造具有复杂化学计量比薄膜的技术,在制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜方面具有很好的优势.在本文中,......
氧化物半导体被认为是最有前景的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)材料[1].但目前开发的大部分氧化物TFT器件都需要采用热退......
通过脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)的方法,我们成功地在c面蓝宝石衬底上实现氟晶云母薄膜的异质外延.众所周知云母是一种......
用脉冲激光沉积(PLD)的方法生长了掺铒Si(2nm)/Al2O3(1.5nm)多层薄膜,后期对其进行不同温度下的快速热退火(RTA)处理。在非铒离子(......
利用Nd:YAG固体脉冲激光沉积(PLD)技术在氧气氛围下于α-AlO(0001)基片上制备出纳米金刚石(NCD)薄膜.借助扫描电子显微镜(SEM)、原......
利用脉冲激光沉积方法(PLD)在Si(100)上制备了Co-C颗粒膜,并研究了其正磁阻效应(PMR).实验结果表明,样品在室温下的正磁阻效应要远......
用脉冲激光沉积(PLD)方法,在p-Si(100)衬底上室温下不同氮气(N2)氛围中制备了高度取向的氮化铝(AlN)薄膜,并利用X射线衍射仪、傅立......
铁电钛酸锶钡(BaSr(BSTO)薄膜材料具有很好的可调性,在微电子工业有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(001)LaAlO单......
采用Cu2+选择电极的硫属玻璃敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积了对Cu2+敏感......
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究结果......
超晶格材料是由两种或两种以上性质不同的薄膜交替生长而形成的、具有周期性结构的人工材料.自从1970年江崎玲於奈(L.Esaki)博士和......
La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)多晶薄膜具有良好的低场磁电阻性能，在磁存储等领域有着广泛的应用前景.居里温度(TC)和金属-绝缘转变温度(TMI......
本文利用脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)的方法,通过调控AZO薄膜的衬底温度和氧分压,获得方阻为17.03Ω/sq的高导电率......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在LaAlO3(LAO)衬底上制备了Ag掺杂的La2／3Ca1／3MnO3薄膜，X射线衍射分析表明所制备薄膜均沿[001]单取向生长，ω......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在石英村底上制备了MgNiO薄膜,研究沉积温度、氧分压对薄膜结构和形貌的影响。通过优化制各条件,在400℃......
由于更小的磁电子器件与更高密度磁存储器的广泛应用前景,因而超薄磁性膜磁现象的研究和技术应用一直是研究热点.当沉积基材为金属......
本文介绍激光表面工程与加工技术在工业中的应用现状,重点介绍激光淬火与熔凝淬火技术,激光溶覆与合金化技术,激光毛化与刻蚀技术,......
在不同基底温度条件下,开展了千赫兹飞秒激光脉冲沉积类金刚石(DLC)薄膜的制备,通过改善激光参量和制备工艺,制备并研究了类金刚石......
采用脉冲激光沉积结合高温退火的方法在不锈钢基片上制备了LiFePO薄膜电极.XRD谱图显示650℃退火后制得的是具有橄榄石结构的LiFeP......
采用脉冲激光沉积的方法在不锈钢基片制备MnN薄膜.采用X射线衍射(XRD)以及扫描电镜(SEM)分别对MnN薄膜的表面形貌和锂化前后的结构......
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石......
